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      硅片就是大塊兒硅切割成片子太陽(yáng)能電池片，一般主流的就是硅片做成晶硅太陽(yáng)能電池片，一般有N型硅片P型硅片。N型硅片是通過(guò)在硅原料中添加五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷或砷）來(lái)形成，這些雜質(zhì)提供了額外的自由電子；P型硅片是通過(guò)在硅原料中添加三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼或鎵）來(lái)形成，這些雜質(zhì)控制電子空穴的擴(kuò)散。雜質(zhì)濃度：N型硅片中，五價(jià)雜質(zhì)的濃度比純硅中的自由電子濃度高；P型硅片中，三價(jià)雜質(zhì)的濃度比純硅中的電子空穴濃度高。電荷載體：在N型硅片中，自由電子是主要的電荷載體，可提供電流；在P型硅片中，正孔（電子空穴）是主要的電荷載體，也可提供電流。硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片,并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測(cè)精度和效率。單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20~25um,在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過(guò)表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。擴(kuò)散制結(jié),太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換， 而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的專用設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。制造PN結(jié)是太陽(yáng)電池生產(chǎn)最基本也是最關(guān)鍵的工序。因?yàn)檎荘N結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。去磷硅玻璃，該工藝用于太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)制造過(guò)程中，通過(guò)化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過(guò)量,反應(yīng)生成的四氟化硅會(huì)進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。關(guān)鍵詞：太陽(yáng)能控制器